Модуль транзистора FZ1600R12KL4C

Mahsulot tavsifi

Производитель:	Infineon
Категория продукта:	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS:	N
Продукт:	IGBT Silicon Modules
Конфигурация:	Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	2450 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	600 nA
Pd - рассеивание мощности:	10 kW
Упаковка / блок:	IHM
Минимальная рабочая температура:	- 40 C
Максимальная рабочая температура:	+ 125 C
Упаковка:	Tray
Высота:	38 mm
Длина:	140 mm
Технология:	Si
Ширина:	130 mm
Торговая марка:	Infineon Technologies
Вид монтажа:	Chassis Mount
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Тип продукта:	IGBT Modules